[发明专利]一种太阳能电池片的制造工艺在审
申请号: | 201711377997.2 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108054244A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 陈德榜 | 申请(专利权)人: | 温州海旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 325000 浙江省温州市经*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及太阳能技术领域,尤其是一种太阳能电池片的制造工艺,包括以下步骤:S1、检测;S2、制绒;S3、扩散制结;S4、去磷硅玻璃;S5、镀膜;S6、丝网印刷。本发明提供了一种新型太阳能电池片的制造工艺,简化了生产流程,易于实现,且能够有效提高生产效率,有助于太阳能产业发展。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池片的制造工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1、检测:对需要加工的硅片进行清洗和检测,去除不合格硅片;S2、制绒:将经过检测的合格硅片放入碱性溶液中进行表面制绒处理;S3、扩散制结:A1、将制绒后的硅片放入扩散炉中,扩散炉中温度维持800-815℃,持续8min,同时向扩散炉中通入大氮、氧气和小氮的混合气体,小氮流量为3-4L/min,氧气流量为1-1.5L/min,大氮流量为8-10L/min;A2、将扩散炉内的温度升高至825℃,之后保温10-15min,之后通入大氮、氧气和小氮的混合气体,混合气体流量为15-20L/min,氧气占混合气体的体积比为25-35%;A3、在10min内使扩散炉中温度降低至750℃,在此过程中通入大氮、氧气的混合气体,氧气占混合气体的体积比为18-27%;S4、去磷硅玻璃:将扩散制结后的硅片放入氢氟酸中浸泡,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃;S5、镀膜:通过PECVD设备在硅片表面制备减反射膜;S6、丝网印刷:将镀有减反射膜的硅片采用丝网印刷的方式在硅片的上下表面印制正、负电极;S7、烘干及烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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