[发明专利]芯片级封装半导体器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201711383469.8 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN109950214A 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 骆俊杰;邓添禧 申请(专利权)人: 安世有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 顾丽波;张娜
地址: 荷兰*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 本公开涉及一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。特别地,本公开涉及芯片级封装半导体器件,其包括:半导体晶片,其具有第一主表面和相对的第二主表面,所述半导体晶片包括布置在所述第二主表面上的至少两个端子;载体,其包括第一主表面和相对的第二主表面,其中所述半导体晶片的第一主表面被安装在所述载体的相对的第二主表面上;以及模塑材料,其部分地封装所述半导体晶片和所述载体,其中所述载体的第一主表面延伸并穿过模塑材料而暴露,并且所述至少两个端子在所述器件的第二侧面上穿过模塑材料而暴露。
搜索关键词: 主表面 半导体晶片 半导体器件 模塑材料 芯片级封装 穿过 主表面延伸 暴露 封装 制造 侧面
【主权项】:
1.一种芯片级封装半导体器件,包括:半导体晶片,其具有第一主表面和相对的第二主表面,所述半导体晶片包括布置在所述第二主表面上的至少两个端子;载体,其包括第一主表面和相对的第二主表面,其中所述半导体晶片的第一主表面被安装在所述载体的相对的第二主表面上;以及模塑材料,其部分地封装所述半导体晶片和所述载体,其中所述载体的第一主表面延伸并穿过模塑材料而暴露,并且所述至少两个端子在所述器件的第二侧面上穿过模塑材料而暴露。
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