[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在第一接触孔底部暴露出的衬底中形成第一源漏掺杂层，第一源漏掺杂层中具有第一掺杂离子；在第一源漏掺杂层表面形成第一金属化物；形成第一金属化物之后，在第二区域介质层中形成第二接触孔，第二接触孔底部暴露出所述衬底；在第二接触孔底部暴露出的衬底中形成第二源漏掺杂层，第二源漏掺杂层中具有第二掺杂离子，第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；在第二源漏掺杂层表面形成第二金属化物，第二金属化物与所述第一金属化物的材料不相同。形成方法能够降低第一金属化物与第一源漏掺杂层之间的接触电阻，同时降低第二金属化物与第二源漏掺杂层之间的接触电阻。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底上形成介质层；在所述第一区域介质层中形成第一接触孔，所述第一接触孔底部暴露出所述衬底；在所述第一接触孔底部暴露出的衬底中形成第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层中具有第一掺杂离子；在所述第一源漏掺杂层表面形成第一金属化物；形成第一金属化物之后，在所述第二区域介质层中形成第二接触孔，所述第二接触孔底部暴露出所述衬底；在所述第二接触孔底部暴露出的衬底中形成第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；在所述第二源漏掺杂层表面形成第二金属化物，所述第二金属化物与所述第一金属化物的材料不相同；形成所述第一金属化物之后，在所述第一接触孔中形成第一插塞；形成所述第二金属化物之后，在所述第二接触孔中形成第二插塞。