[发明专利]一种掺硼金刚石电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201711389123.9 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107986401A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 唐永炳;谷继腾;杨扬;石磊 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F1/30;B01J23/30;B01J23/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种掺硼金刚石电极，包括基体，依次层叠设置于所述基体上的掺硼金刚石层和二氧化钛层，所述二氧化钛层具有多孔结构，所述多孔结构的孔洞贯穿所述二氧化钛层，以使部分所述掺硼金刚石层暴露。本发明提供的掺硼金刚石电极，通过在掺硼金刚石层表面设置具有贯穿孔洞的多孔结构的二氧化钛层，提高了二氧化钛层的比表面积，进一步提高了光催化性能，而部分掺硼金刚石层的暴露使得电催化性能增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺硼金刚石电极，其特征在于，包括基体，依次层叠设置于所述基体上的掺硼金刚石层和二氧化钛层，所述二氧化钛层具有多孔结构，所述多孔结构的孔洞贯穿所述二氧化钛层，以使部分所述掺硼金刚石层暴露。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳先进技术研究院，未经深圳先进技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711389123.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
