[发明专利]非易失性存储器装置的软擦除方法

摘要

一种非易失性存储器装置的软擦除方法。所述方法包括：当执行多个编程循环以将第一存储器单元编程到第N编程状态时，在至少一个编程循环中将编程电压施加到被包括在连接到选择的第一位线的选择的存储器单元串中并连接到选择的字线的第一存储器单元；在第一验证间隔中，通过将用于验证第一存储器单元的编程状态的读取电压施加到选择的字线以及将第一预脉冲施加到连接到第一位线的多个未选择的存储器单元串和连接到未选择的第二位线的多个未选择的存储器单元串中的每一个未选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极，来对第二存储器单元进行软擦除。

主权项

1.一种包括三维存储器单元阵列的非易失性存储器装置的软擦除方法，所述三维存储器单元阵列包括多个存储器单元串，每个存储器单元串包括垂直堆叠在硅基底上的串选择晶体管、多个存储器单元和地选择晶体管，每个存储器单元串分别连接到位线和共源极线，所述方法包括：执行多个编程循环来将第一存储器单元编程为第一编程状态，第一编程状态是第一存储器单元的N个编程状态之一，并且第一存储器单元包括在连接到选择的第一位线的选择的存储器单元串中且连接到选择的字线；所述多个编程循环中的至少一个编程循环包括：在第一区间期间，通过将第一预脉冲施加到连接到选择的第一位线的一个或多个未选择的存储器单元串和连接到未选择的第二位线的多个未选择的存储器单元串中的每一个存储器单元串的串选择晶体管的栅极，而对第二存储器单元执行软擦除操作，第二存储器单元包括在连接到未选择的第二位线的选择的存储器单元串中且连接到选择的字线；在第二区间期间，通过将选择电压施加到连接到选择的第一位线的选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极和连接到未选择的第二位线的选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极，来对第一存储器单元执行验证操作。