[发明专利]NOR闪存及其制作方法

摘要

本发明公开了一种NOR闪存及其制作方法，该闪存包括存储单元，其包括层叠的栅极结构，该结构依次包括外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层、控制栅，浮栅和隧穿氧化层之间的界面形成浮栅边角，所述浮栅边角为圆滑形貌。该制作方法，包括在晶圆上形成存储单元的步骤，完成晶圆源极自对准刻蚀和离子注入的步骤；对晶圆进行第一次快速热处理，使存储单元的浮栅边缘形成一层二氧化硅薄膜的步骤；通过湿法刻蚀工艺去除浮栅边缘的二氧化硅薄膜的步骤；对晶圆进行第二次快速热处理，使存储单元的浮栅边角的形貌由尖锐变得圆滑，形成圆滑形貌的浮栅边角的步骤。本发明能够改善NOR闪存的存储单元中浮栅的抗串扰性能，提高NOR闪存的可靠性。

主权项

一种NOR闪存，包括存储单元，其特征在于，所述存储单元包括层叠的栅极结构，所述栅极结构从下到上依次包括外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层、控制栅，所述浮栅和隧穿氧化层之间的界面形成浮栅边角，所述浮栅边角为圆滑形貌。