[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201711396621.6 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109755323B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 王泰瑞;叶永辉;杨瑞纹;姚晓强;朱俊鸿 | 申请（专利权）人： | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨泽;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，其中薄膜晶体管包括可挠性基板、半导体层、第一栅极以及第一栅介电层。半导体层位于可挠性基板上。第一栅极位于可挠性基板上且对应于半导体层的部分区域。第一栅介电层位于第一栅极与半导体层之间。第一栅介电层与半导体层接触，且第一栅介电层的氢原子浓度小于6.5×10 |
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| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：可挠性基板；半导体层，位于所述可挠性基板上；第一栅极，位于所述可挠性基板上且对应于所述半导体层的部分区域；以及第一栅介电层，位于所述第一栅极与所述半导体层之间，所述第一栅介电层与所述半导体层接触，且所述第一栅介电层的氢原子浓度小于6.5×1020原子数/立方厘米。
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