[发明专利]形成具有STI区的集成电路的方法及所产生的IC结构有效
| 申请号： | 201711402145.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108511385B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·K·史塔佩尔;史蒂芬·M·宣克;西瓦·P·阿度苏米利 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成具有STI区的集成电路的方法及所产生的IC结构，其揭示一种集成电路(IC)形成方法，其中，在一半导体层内形成数个沟槽以界定半导体台面。该方法初始只在该沟槽内形成侧壁间隔体于该半导体台面的暴露侧壁上，而不是立即用隔离材料填满该沟槽以及执行平坦化工艺以在装置形成前完成该STI区。在该侧壁间隔体形成后，使用该半导体台面形成装置(例如，场效应晶体管、硅电阻器等等)，且视需要，在相邻半导体台面之间的沟槽内可形成附加装置(例如，多晶硅电阻器)。随后，沉积中段(MOL)介电质(例如，共形蚀刻停止层及毯覆层间介电质(ILD)层)于该装置上方，藉此填满在该沟槽内的任何残留空间且完成该STI区。也揭示一种使用该方法所形成的IC结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 sti 集成电路 方法 产生 ic 结构 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：在一半导体层中形成数个沟槽以界定至少一半导体台面，该半导体台面具有数个第一侧壁；形成在该沟槽内且侧向邻接该半导体台面的该第一侧壁的数个第一侧壁间隔体；在该第一侧壁间隔体的该形成步骤之后且在完全填满该沟槽之前，使用该半导体台面形成一装置；以及，沉积一毯覆层间介电层，其中，该第一侧壁间隔体与该毯覆层间介电层包含不同的介电质材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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