[发明专利]热处理装置、热处理方法以及计算机存储介质有效
| 申请号： | 201711404451.1 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108231627B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 碛本荣一;七种刚;脊古裕司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种热处理装置、热处理方法以及计算机存储介质。在对基板进行热处理的该热处理装置中，以简单的装置结构抑制基板的质量的偏差。热处理装置(40)在包括盖体(130)的处理室(S)内具备热板(132)，该热板载置晶圆(W)并对该载置的晶圆进行加热，该盖体(130)用于覆盖载置在该热板(132)上的晶圆(W)的被处理面，并且，该热处理装置具备：控制部，其对晶圆(W)的温度进行控制；以及温度传感器(133)，其测定盖体(130)的温度，在热板(132)的设定温度被变更了时，控制部基于由温度传感器(133)测定出的盖体(130)的温度来进行对热板(132)的加热量的校正以得到变更后的设定温度。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 方法 以及 计算机 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种热处理装置，在包括盖体的处理室内具备热板，所述热板载置基板并对被载置的该基板进行加热，其中，所述盖体用于覆盖载置在该热板上的所述基板的被处理面，所述热处理装置的特征在于，具备：控制部，其至少对所述热板的温度进行控制；以及温度测定部，其测定所述盖体的温度，其中，在所述热板的设定温度被变更了时，所述控制部基于由所述温度测定部测定出的所述盖体的温度来进行对所述热板的加热量的校正以得到变更后的所述设定温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
