[发明专利]半导体静电放电保护元件有效
| 申请号： | 201711405014.1 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109712971B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 刘芳妏;吕增富;廖伟明 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开的一实施例提供一种半导体静电放电(ESD)保护元件。该半导体ESD保护元件包括：一基底，是具有一第一导电型；一栅极，是形成在该基底上；一源极区和一漏极区，是形成在该基底中；以及一本体区，是形成在该基底中。该基底及该本体区包括一第一导电型，该源极区和漏极区包括一第二导电型，且该第一导电型和第二导电型彼此互补。该本体区电性连接至栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 静电 放电 保护 元件 | ||
【主权项】：
1.一半导体静电放电保护元件，包括：一基底，是具有一第一导电型；一栅极，是形成在该基底上；一源极区和一漏极区，是形成在该基底中，该源极区和该漏极区具有一第二导电型，且该第二导电型与该第一导电型互补；以及一本体区，是形成在该基底中，该本体区具有该第一导电型，其中该本体区电性连接至该栅极。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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