[发明专利]一种光电反射式传感器阵列有效
申请号: | 201711405311.6 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108132068B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 唐德尧;李修文 | 申请(专利权)人: | 唐智科技湖南发展有限公司 |
主分类号: | G01D5/30 | 分类号: | G01D5/30;G01B11/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 410007 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种光电反射式传感器阵列,包括:放置在不同位置的多个光电反射式传感器,用于向检测对象发送检测光,接收检测对象的反射光,并对反射光进行共振解调得到共振解调脉冲;集中控制器,用于当目标条件触发时,确定接收到的各个共振解调脉冲的最大幅值,根据最大幅值与第一幅值阈值和第二幅值阈值的比较结果,确定生成的发射光强度控制信号的强度,并将发射光强度控制信号发送给每一个光电反射式传感器以控制各个光电反射式传感器的检测光的发射强度。应用本发明实施例所提供的技术方案,对各个光电反射式传感器进行检测光发射强度的控制,提高了各个光电反射式传感器的准确性,同时还对各个光电反射式传感器统一调节降低调节成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 反射 传感器 阵列 | ||
【主权项】:
一种光电反射式传感器阵列,其特征在于,包括:放置在不同位置的多个光电反射式传感器,用于向检测对象发送检测光,接收所述检测对象的反射光,并对所述反射光进行共振解调得到共振解调脉冲;集中控制器,用于当目标条件触发时,确定接收到的各个所述共振解调脉冲的最大幅值,当所述最大幅值超出第一幅值阈值时,生成用于降低各个所述光电反射式传感器的所述检测光的发射强度的发射光强度控制信号,并将所述发射光强度控制信号发送给每一个所述光电反射式传感器;当所述最大幅值低于第二幅值阈值时,生成用于提高各个所述光电反射式传感器的所述检测光的发射强度的所述发射光强度控制信号,并将所述发射光强度控制信号发送给每一个所述光电反射式传感器;其中,所述目标条件为所述集中控制器接收到两次由同一个所述光电反射式传感器发送的所述共振解调脉冲,所述第二幅值阈值小于等于所述第一幅值阈值。
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