[发明专利]大容量存储器电路的3D错层堆叠封装结构在审
| 申请号： | 201711407550.5 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108183098A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 赵鹤然 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大容量存储器电路的3D错层堆叠封装结构，属于电子产品封装技术领域。该封装结构包括储存器芯片、胶粘剂、键合丝、基板和外壳；所述储存器芯片为多个，采用垂直错层堆叠方式形成3D芯片组，各储存器芯片之间采用胶粘剂粘接；所述3D芯片组采用胶粘剂粘接在基板上，基板采用胶粘剂固定在外壳上；所述3D芯片组与基板之间、3D芯片组与外壳之间、储存器芯片与储存器芯片之间均采用键合丝完成电连接。本申请芯片之间采用垂直错层堆叠方式，不但提高了储存容量，还可以满足国内尖端行业对储存器产品的高可靠性需求。 | ||
| 搜索关键词： | 储存器芯片 错层堆叠 芯片组 基板 封装结构 大容量存储器 胶粘剂粘接 胶粘剂 键合丝 电路 垂直 电子产品封装 高可靠性需求 储存容量 储存器 电连接 芯片 申请 | ||
【主权项】：
1.一种大容量存储器电路的3D错层堆叠封装结构，其特征在于：该封装结构包括储存器芯片、胶粘剂、键合丝、基板和外壳；所述储存器芯片为多个，采用垂直错层堆叠方式形成3D芯片组，各储存器芯片之间采用胶粘剂粘接；所述3D芯片组采用胶粘剂粘接在基板上，基板采用胶粘剂固定在外壳上；所述3D芯片组与基板之间、3D芯片组与外壳之间、储存器芯片与储存器芯片之间均采用键合丝完成电连接。
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