[发明专利]一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201711414838.5 申请日: 2017-12-22
公开(公告)号: CN108155198B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 吴振兴;林刘毓;刘浩哲;吴绍懋;程子桓;翁良志;刘健群;丘立安;黃乾燿;戴体贤 申请(专利权)人: 成都先锋材料有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 郭新娟
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法,属于影像传感器技术领域。一种CMOS影像传感封装结构的制作方法,包括:在第一绝缘层、晶圆形成的结合层形成盲孔,盲孔穿过第一绝缘层且孔底位于晶圆,第一绝缘层背离晶圆的表面具有微凸镜;将第二绝缘层形成于盲孔的孔壁,然后在具有第二绝缘层的盲孔内填充导电材料,将结合层内与微凸镜和IC信号连接的导线引至第一绝缘层的表面并与导电材料电性连接;将透明基材固定于第一绝缘层具有微凸镜的表面,将挡片晶片形成于透明基材的表面,然后对晶圆进行磨薄以使得盲孔内的导电材料露出。该方法能制作出厚度较薄的CMOS影像传感封装结构。
搜索关键词: 一种 cmos 影像 传感 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种COMS影像传感封装结构的制作方法,其特征在于,包括:在第一绝缘层、晶圆形成的结合层形成盲孔,所述盲孔穿过所述第一绝缘层且孔底位于所述晶圆,所述第一绝缘层背离所述晶圆的表面具有微凸镜;将第二绝缘层形成于所述盲孔的孔壁,然后在具有所述第二绝缘层的所述盲孔内填充导电材料,将所述结合层内与所述微凸镜和IC信号连接的导线引至所述第一绝缘层的表面并与所述导电材料电性连接;将透明基材固定于所述第一绝缘层具有所述微凸镜的表面,将挡片晶片形成于所述透明基材的表面,然后对所述晶圆进行磨薄以使得所述盲孔内的所述导电材料露出。
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