[发明专利]基于GaN材料的多色横向结构LED芯片及LED灯在审
| 申请号： | 201711415121.2 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108133945A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/08 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片，包括：衬底(11)；蓝光材料、红光材料、绿光材料，均设置于所述衬底(11)上；蓝光正电极和蓝光负电极，均设置于所述蓝光材料上；红光正电极和红光负电极，均设置于所述红光材料上；绿光正电极和绿光负电极，均设置于所述绿光材料上。本发明的有益效果有：1.在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；2.集成度提高，LED成本可以下降；3.色温调节更加灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 负电极 正电极 横向结构 红光材料 蓝光材料 绿光材料 衬底 多色 红光 蓝光 绿光 荧光粉 色温调节 集成度 单芯片 灵活 | ||
【主权项】：
一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片，其特征在于，包括：衬底(11)；蓝光材料、红光材料、绿光材料，均设置于所述衬底(11)上；蓝光正电极和蓝光负电极，均设置于所述蓝光材料上；红光正电极和红光负电极，均设置于所述红光材料上；绿光正电极和绿光负电极，均设置于所述绿光材料上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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