[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201711417986.2 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108242382B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 卢泳辰;金京善;沈承辅;李镕祐;任志洙;崔原荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种等离子体处理装置包括：支撑晶片的静电卡盘；设置为围绕晶片的外周表面的调节环；设置为围绕调节环的外周表面的绝缘环；以及支撑调节环的下部分和绝缘环的下部分的边缘环，边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面；其中边缘环包括在其中容纳流体的流道。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包括：支撑晶片的静电卡盘；设置为围绕所述晶片的外周表面的调节环；设置为围绕所述调节环的外周表面的绝缘环；以及支撑所述调节环的下部分和所述绝缘环的下部分的边缘环，所述边缘环与所述静电卡盘间隔开并且围绕所述静电卡盘的外周表面；其中所述边缘环包括在其中容纳流体的流道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711417986.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
