[发明专利]锗单晶的生长方法在审
| 申请号： | 201711429251.1 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108277531A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘;尹士平;胡智向;刘运连 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锗单晶的生长方法，该生长方法将原料熔化为熔体，然后抽真空，在真空氛围下利用籽晶在一定的温场梯度下经过引晶过程、放肩过程、等径生长过程、收尾过程、降温过程形成锗单晶；引晶过程中，控制晶体拉速为5‑10mm/h；控制晶体生长速度为10‑30g/h，晶体直径为20‑30mm；放肩过程中，维持拉速在0.1‑0.3mm/h，控制晶体生长速度由10‑30g/h逐步增加到500g/h；等径生长过程中，维持拉速在0.1‑0.3mm/h，控制晶体生长速度为500‑2000g/h；收尾过程中，手动控制拉速，拉速在10‑100mm/h；降温过程中，拉速为0，降温速率为20‑50℃/h。本发明锗单晶的生长方法，所制备得到的晶体尺寸大、结晶性能良好、成品率较高，且晶体无开裂、多晶等缺陷，推广该方法，能产生显著的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 拉速 生长 控制晶体 锗单晶 等径生长 降温过程 放肩 引晶 收尾 结晶性能 手动控制 原料熔化 真空氛围 逐步增加 成品率 抽真空 多晶 熔体 温场 籽晶 制备 | ||
【主权项】：
1.一种锗单晶的生长方法，该生长方法首先将原料熔化为熔体，然后抽真空，在真空氛围下利用籽晶在一定的温场梯度下经过引晶过程、放肩过程、等径生长过程、收尾过程、降温过程形成锗单晶；其特征在于：引晶过程中，控制晶体拉速为5‑10mm/h；控制晶体生长速度为10‑30g/h，晶体直径为20‑30mm；放肩过程中，维持拉速在0.1‑0.3mm/h，控制晶体生长速度由10‑30g/h逐步增加到500g/h；等径生长过程中，维持拉速在0.1‑0.3mm/h，控制晶体生长速度为500‑2000g/h；收尾过程中，手动控制拉速，拉速在10‑100mm/h；降温过程中，拉速为0，降温速率为20‑50℃/h。
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