[发明专利]光掩模坯及其制备方法在审
| 申请号： | 201711429614.1 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108241250A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 高坂卓郎;稻月判臣 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F1/48;G03F1/50;G03F1/54;G03F1/68 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 何杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光掩模坯及其制造方法。本发明的光掩模坯，包括透明基材、至少一个含铬且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧或含硅、氧和氮且不含过渡金属的膜(B)，膜(A)和膜(B)彼此接触。在该光掩模坯中，当通过飞行时间二次离子质谱法(TOF‑SIMS)沿膜的厚度方向测量二次离子强度时，在位于膜(A)和膜(B)的界面或其附近且具有源自SiCrO5的二次离子最大强度的位置处，源自Cr2O5的二次离子的强度低于源自Cr的二次离子的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模坯 离子 飞行时间二次离子质谱 含过渡金属 透明基材 位置处 含铬 制备 测量 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模坯，包括透明基材、至少一个含铬且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧或含硅、氧和氮且不含过渡金属的膜(B)，所述膜(A)和所述膜(B)彼此接触，其中当通过飞行时间二次离子质谱法(TOF‑SIMS)沿膜的厚度方向测量二次离子强度时，在位于所述膜(A)和膜(B)的界面或其附近且具有源自SiCrO5的二次离子最大强度的位置处，源自Cr2O5的二次离子强度低于源自Cr的二次离子强度。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
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