[发明专利]磁记录介质和磁存储装置有效
| 申请号： | 201711430804.5 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108305645B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 福岛隆之;大桥荣久;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;神边哲也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/706 | 分类号： | G11B5/706;G11B5/725;G11B5/73;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 磁记录介质 结晶质 基板 磁存储装置 结晶结构 磁性层 配向 合金 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层，其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层，所述第1底层是以W为主成分的结晶质层，所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物，且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层，所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物,所述以W为主成分的材料是指W的含量为90at％以上的材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711430804.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
