[发明专利]芯片封装结构在审

专利信息
申请号: 201711431909.2 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN109411419A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 杨镇在;杨克勤;庄瑞彰;吴彦葶;吕嘉华 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/49;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种芯片封装结构,包括芯片封装层及至少一导电结构层。芯片封装层包括至少一芯片及封装胶体,其中芯片具有上表面,封装胶体包覆芯片且暴露上表面。导电结构层包括多个第一导电柱及多个第二导电柱,其中这些第一导电柱配置于上表面上,这些第二导电柱配置于上表面上,这些第二导电柱位于上表面的边缘与这些第一导电柱之间,这些第二导电柱沿边缘的延伸方向的密度大于或等于这些第一导电柱沿边缘的延伸方向的密度的1.2倍。
搜索关键词: 导电柱 上表面 芯片封装结构 导电结构层 封装胶体 芯片封装 芯片 包覆芯片 延伸 配置 暴露
【主权项】:
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:芯片封装层,包括至少一芯片及封装胶体,其中该芯片具有上表面,该封装胶体包覆该芯片且暴露该上表面;以及至少一导电结构层,包括多个第一导电柱及多个第二导电柱,其中该些第一导电柱配置于该上表面上,该些第二导电柱配置于该上表面上,该些第二导电柱位于该上表面的边缘与该些第一导电柱之间,该些第二导电柱沿该边缘的延伸方向的密度大于或等于该些第一导电柱沿该边缘的延伸方向的密度的1.2倍。
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