[发明专利]一种光刻胶去除剂在审
| 申请号： | 201711439629.6 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109976109A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 孙广胜;刘兵 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;沈汶波 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶去除剂，其包括醇胺，硼酸及其衍生物，有机溶剂及水。本发明的光刻胶去除剂，不含有季胺氢氧化物，具有对半导体中光刻胶的快速去除能力，同时对金属铝等具有非常低的蚀刻速率，还具有很好的耐水性。该光刻胶清洗液既能有效的去除光刻胶又能保护金属。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶去除剂 光刻胶 硼酸 蚀刻 季胺氢氧化物 有机溶剂及水 快速去除 金属铝 耐水性 清洗液 醇胺 去除 半导体 金属 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶去除剂，其特征在于，包括，醇胺，硼酸及其衍生物，有机溶剂及水。
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