[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201711444009.1 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108305874B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 林宏;国吉督章;寺井康浩;松尾绘理;葭谷俊明;浅野直城 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本有机雷特显示器 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/786;H01L23/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张永明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的一种半导体装置具备：基板，包括沿着所定的方向依次邻接设置的第一区域、第二区域和第三区域；第一配线，设置在基板上的第一区域、第二区域和第三区域；半导体膜，至少其一部分具有低电阻区域，并且，在第一区域，设置在第一配线与基板之间，并在第二区域，与第一配线接触；第二配线，设置在比半导体膜更接近基板的位置，并且在第三区域与第一配线接触；以及绝缘膜，设置在第一区域的第一配线与半导体膜之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：基板，包括沿着所定的方向依次邻接设置的第一区域、第二区域和第三区域；第一配线，设置在所述基板上的所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域；半导体膜，至少其一部分具有低电阻区域，并且，在所述第一区域，设置在所述第一配线与所述基板之间，并在所述第二区域，与所述第一配线接触；第二配线，设置在比所述半导体膜更接近所述基板的位置，并且在所述第三区域与所述第一配线接触；以及绝缘膜，设置在所述第一区域的所述第一配线与所述半导体膜之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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