[发明专利]聚酰亚胺层的制备方法有效
| 申请号： | 201711445730.2 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979800B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王吉伟;高留春;眭利民;牟亮伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种聚酰亚胺层的制备方法，包括：去除金属层表面的电荷；在金属层表面形成聚酰亚胺层，在所述聚酰亚胺层表面涂覆光敏性物质并进行曝光处理；使用显影液对所述光敏性物质和所述聚酰亚胺层进行显影，形成所需的聚酰亚胺层图案。本发明在形成聚酰亚胺层之前去除金属层表面的电荷，改变了金属层表面的电位，从而有效解决了制备聚酰亚胺层时的显影步骤中显影液对金属层表面的侵蚀问题。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚酰亚胺层的制备方法，包括：去除金属层表面的电荷；在金属层表面形成聚酰亚胺层，在所述聚酰亚胺层表面涂覆光敏性物质并进行曝光处理；使用显影液对所述光敏性物质和所述聚酰亚胺层进行显影，形成所需的聚酰亚胺层图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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