[发明专利]一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法、装置在审
| 申请号： | 201711447020.3 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979510A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 胡洪;张赛;付永庆;李宁 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器读写擦除技术领域，本发明公开了一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法及装置，所述方法包括：将所述闪存块中至少一条字线上的所有存储单元划分为一个存储单元组；接收所述闪存块擦除指令；根据所述闪存块擦除指令，对所述闪存块中各个存储单元组执行擦除判断；若一个存储单元组中不存在未擦除的存储单元，所述存储单元组擦除判断结果为是；针对所述擦除判断结果为是的存储单元组不执行擦除操作。本发明实施例对上述各个存储单元组执行擦除判断，针对不存在未擦除的存储单元的存储单元组不执行擦除操作，保证该存储单元组不会被过擦除，减少了非易失性闪存块在块擦除的过程中的过擦除的存储单元，减少了漏电流的存在。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元组 擦除 存储单元 闪存块 非易失性闪存 块擦除 漏电流 擦除操作 擦除指令 判断结果 过擦除 存储器读写 字线 保证 | ||
【主权项】：
1.一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法，其特征在于，所述方法包括：将所述闪存块中至少一条字线上的所有存储单元划分为一个存储单元组；接收所述闪存块擦除指令；根据所述闪存块擦除指令，对所述闪存块中各个存储单元组执行擦除判断；若一个存储单元组中不存在未擦除的存储单元，所述存储单元组擦除判断结果为是；针对所述擦除判断结果为是的存储单元组不执行擦除操作。
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