[发明专利]一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法

摘要

本发明涉及玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆技术领域，具体涉及一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法；包括以下步骤：先通过参杂扩散的方式制造击穿电压为900V～1100V的芯片；通过电子束蒸发的方式对实现硅片的表面金属化；将硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；将电极引线与多颗串联叠加的芯片通过焊料熔焊键合；将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆，链式高温下成型，完成封装成型；将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接，切除引线后实现玻璃钝化表贴封装；本发明具备了玻璃钝化快恢复整流硅堆反向恢复时间快、反向工作电压高、抗温度和机械冲击能力强的特点，具有极高的推广价值。

主权项

一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备芯片：选取电阻率为15Ω·cm～25Ω·cm的N型单晶硅片，依次通过磷扩散、硼扩散、铂扩散制造反向工作电压为900V～1100V、反向恢复时间30ns～100ns硅片，通过电子蒸发的方式分别蒸发厚度为10μm～15μm、4μm～8μm的两种硅片，将硅片分别采用台面成型机吹砂切割成规定尺寸的芯片；(2)制备管芯组件：将所述两种管芯分极处理后，其中第一颗管芯和最后一颗管芯装模金属化层厚度为10μm～15μm的芯片，中间的管芯装金属化层为4μm～8μm的芯片，其装模的管芯总数根据器件需要实现的反向工作电压确定，采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯和电极进行烧结形成管芯组件；(3)采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀，腐蚀2～3次，每次30s～90s，然后用大量去离子水冲洗干净；(4)在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆，在链式炉下高温成型，完成封装成型；(5)将成型后的轴向产品组件与电极引出端通过焊料在专用模具上进行高温焊接，切除引线后，实现玻璃钝化表贴封装。