[发明专利]一种具有大功率高压器件模块结构在审
| 申请号： | 201711452893.3 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109980006A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陆宇;沈立;程玉华;周润宝;沈金龙 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司;上海北京大学微电子研究院;上海芯哲微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双面界面掺杂浓度线性增加结构SOI高压器件。该结构在SOI器件介质层上下界面分别注入高浓度N+和高浓度P+,从源端到漏端，N+和P+浓度线性连续增大。器件外加高压时，纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽n+区内高浓度的电离施主束缚在介质层上界面，同时在下界面积累感应电子。引入的界面电荷对介质层电场(E，)产生附加增强场(△E，)，使介质层承受更高耐压，同时对顶层硅电场(ES)产生附加削弱场(△艮)，避免在硅层提前击穿，从而有效提高器件的击穿电N(BV)。详细研究DCI SOI工作机理及相关结构参数对击穿电压的影响，在5μm介质层、1μm顶层硅上仿真获得825V高耐压，较常规结构提高284.4％，其中，附加场△E，和AEs分别达到725.5V/tm和34V/um。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 电场 浓度线性 顶层硅 高耐压 击穿 大功率高压 常规结构 感应电子 高压器件 工作机理 击穿电压 结构参数 界面掺杂 界面电荷 连续增大 器件模块 电荷 电离 反型 硅层 漏端 源端 耗尽 束缚 削弱 引入 积累 研究 | ||
【主权项】：
1.一种具有双面界面掺杂浓度线性增加结构SOI高压器件，其自下而上依次层叠有衬底层、介质埋层和有源层，其特征在于:所述有源层包括：分别位于所述有源层的表面并且相互分离的源区(20a)和漏区(20c)以及栅区(20b)，以及所述体区(18a)，体区下方的浓度线性变化的n+层(12a)，介质埋层(14a)及其下方的浓度线性变化的p+层(13a).位于所述源区和所述漏区之间的所述有源层为漂移区(15a)，所述漂移区和所述体区的导电类型相反；所述有源层在其表面以下设置有半导体埋层(14a)，所述半导体埋层和所述体区的导电类型相同。
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