[发明专利]一种芯片以及电子设备在审
| 申请号： | 201711456835.8 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979919A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 蒋其梦;崔晓娟 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 王仲凯 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种芯片以及电子设备，以释放前道介质层更多的内部空间。芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层以及填充介质层；第一金属层与第二金属层之间设有填充介质层，第一金属层与第二金属层设于前道介质层上，第一金属层以及第二金属层之间用于设置MIM电容，第一金属层的第一侧面用于与MIM电容的第一金属极层电连接，第二金属层的第二侧面用于与MIM电容的第二金属极层电连接；前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，第一金属层与第一前道金属层电连接，第二金属层与第二前道金属层电连接，第一金属层以及第一前道金属层用于将第一金属极层引入前道介质层，第二金属层以及第二前道金属层用于将第二金属极层引入前道介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 第二金属层 第一金属层 金属层 金属极 电子设备 金属层电 芯片 电连接 填充 侧面 引入 释放 申请 | ||
【主权项】：
1.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层以及填充介质层；所述第一金属层与所述第二金属层之间设有所述填充介质层，所述第一金属层与所述第二金属层设于所述前道介质层上，所述第一金属层以及所述第二金属层之间用于设置金属‑绝缘体‑金属MIM电容，所述第一金属层的第一侧面用于与所述MIM电容的第一金属极层电连接，所述第二金属层的第二侧面用于与所述MIM电容的第二金属极层电连接；所述前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，所述第一金属层与所述第一前道金属层电连接，所述第二金属层与所述第二前道金属层电连接，所述第一金属层以及所述第一前道金属层用于将所述第一金属极层引入所述前道介质层，所述第二金属层以及所述第二前道金属层用于将所述第二金属极层引入所述前道介质层。
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