[发明专利]静态随机存取存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201711462895.0 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979942B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种静态随机存取存储器及其形成方法，其中形成方法包括：提供初始基底，所述初始基底包括至少一个第一区；去除部分第一区初始基底，形成基底、位于基底表面的第一鳍部、以及位于基底表面的第二鳍部，部分所述第一鳍部用于形成传输晶体，部分第一鳍部和第二鳍部用于形成传输晶体管，所述传输晶体管的沟道具有第一导电类型；在所述第二鳍部内掺入第一离子，所述第一离子具有第二导电类型，且所述第二导电类型与第一导电类型相反。所述方法形成的静态随机存取存储器性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供初始基底，所述初始基底包括至少一个第一区；去除部分第一区初始基底，形成基底、位于基底表面的第一鳍部、以及位于基底表面的第二鳍部，部分所述第一鳍部用于形成传输晶体管，部分第一鳍部和第二鳍部用于形成下拉晶体管，所述下拉晶体管的沟道具有第一导电类型；在所述第二鳍部内掺入第一离子，所述第一离子具有第二导电类型，且所述第二导电类型与第一导电类型相反。
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