[发明专利]闪存阵列的制作方法及闪存阵列

摘要

本发明涉及闪存阵列的制作方法及闪存阵列。在闪存阵列的制作过程中，在计划形成浮置栅极和控制栅极的第二区域进行两次调整控制栅极阈值电压的离子注入，其中第二次离子注入还覆盖计划形成选择栅极的第一区域，利用本发明闪存阵列的制作方法，有利于后续形成的选择栅极形成均匀的导电层(例如多晶硅条)，在闪存阵列工作时，施加在选择栅极上的电压较为均匀，利用包括上述方法制作的闪存阵列，将选择栅极的引出孔设置在整条选择栅极的两端，相较于现有工艺中在选择栅极上每隔一定数量的位线设置一选择栅引出孔，可以简化闪存阵列设计和提高闪存的耦合率。

主权项

1.一种闪存阵列的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底上分布有多个计划形成选择栅极的第一区域和计划形成控制栅极的第二区域；在所述基底上依次形成衬垫氧化层、氮化硅层和介质掩模层；刻蚀所述介质掩模层、所述氮化硅层、所述衬垫氧化层以及所述基底以形成浅沟槽；在所述浅沟槽内填充隔离介质，然后去除剩余的所述介质掩模层和所述氮化硅层；在所述第一区域和所述第二区域进行形成阱区的离子注入；在第二区域进行调整控制栅极阈值电压的第一次离子注入和第二次离子注入，并且所述第二次离子注入还覆盖所述第一区域；在所述第一区域形成第一部分选择栅极，在所述第二区域形成浮置栅极；以及回刻蚀所述隔离介质以在所述浮置栅极之间形成开口。