[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711466514.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108598171A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张宁 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
提供一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括：基底；栅电极，设置在基底上；栅极绝缘层，设置在基底上并覆盖栅电极；有源层，设置在栅极绝缘层上，并与栅电极叠置；以及源电极和漏电极，设置在有源层的上表面和侧表面上，分别与有源层接触，并且源电极和漏电极彼此分隔开。栅极绝缘层包括包含与栅电极相邻的氮化硅层和与有源层相邻的氧化硅层的叠层结构。栅极绝缘层的总厚度可以大于等于 |
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| 搜索关键词： | 栅极绝缘层 氮化硅层 氧化硅层 源层 栅电极 基底 氧化物半导体薄膜 厚度比 漏电极 源电极 晶体管 覆盖栅电极 栅极线交叉 叠层结构 静电击穿 侧表面 上表面 数据线 位置处 叠置 分隔 制造 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，所述氧化物半导体薄膜晶体管包括：基底；栅电极，设置在基底上；栅极绝缘层，设置在基底上并覆盖栅电极；有源层，设置在栅极绝缘层上，并与栅电极叠置；以及源电极和漏电极，设置在有源层的上表面及侧表面上，分别与有源层接触，并且源电极和漏电极彼此分隔开，其中，所述栅极绝缘层包括氮化硅层/氧化硅层的叠层结构，所述氮化硅层被设置为与栅电极相邻，所述氧化硅层被设置为与有源层相邻，其中，所述栅极绝缘层的总厚度大于等于![]()
且小于等于![]()
所述氮化硅层的厚度大于或等于![]()
所述氧化硅层的厚度大于或等于![]()
并且所述氮化硅层与所述氧化硅层的厚度比大于或等于2。
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