[发明专利]中枢记忆性T细胞体及其外培养方法

摘要

本发明公开了一种中枢记忆性T淋巴细胞的体外培养方法，该方法包括以下在初始培养基中加入有IL‑21，培养环境中氧气浓度为1±0.1％；在培养第7天时，再扩增培养基中加入有IL‑21和雷帕霉素。本发明首次公开了在恰当的培养过程中，应用雷帕霉素、白介素21和低氧环境，三者联合，可以提高中枢记忆性T细胞比例、抑制其向效应细胞分化、增加其对肿瘤细胞的杀伤作用的体外培养扩增方法。

主权项

1.一种中枢记忆性T淋巴细胞的体外培养方法，其特征在于，包括以下步骤：

在细胞培养板中，包被CD3抗体；

加入初始培养基和分选出来的T细胞进行培养，培养环境中氧气浓度为1±0.1％；

所述初始培养基为基础培养基中加入有IL‑21；

继续培养，每隔两天补充初始培养基；

第6天时，吸取细胞到离心管中，离心，去上清，用初始培养基重悬，然后转移到细胞培养板中继续培养；

第7天时，取培养瓶，包被CD3抗体；将T细胞转移到离心管中，离心，去上清，用再扩增培养基重悬，然后转移到T25培养瓶中继续培养；所述再扩增培养基为基础培养基中加入有IL‑21和雷帕霉素；

继续培养，每隔两天补充再扩增培养基，培养到第14收获中枢记忆性T淋巴细胞细胞。

2.根据权利要求1所述的体外培养方法，其特征在于，所述初始培养基中所述白介素21的浓度为25‑75ng/ml。

3.根据权利要求2所述的体外培养方法，其特征在于，所述白介素21的浓度为50ng/ml。

4.根据权利要求1所述的体外培养方法，其特征在于，所述再扩增培养基中所述雷帕霉素的浓度为5‑30ng/ml。

5.根据权利要求4所述的体外培养方法，其特征在于，所述雷帕霉素的浓度为10ng/ml。

6.根据权利要求1‑5任一所述的体外培养方法，其特征在于，所述基础培养基为AIM V培养基；所述T细胞为磁珠分选的CD4+T细胞；所述T细胞来源于外周血或脐带血分离的PBMC细胞。

7.根据权利要求1‑5任一所述的体外培养方法，其特征在于，在初始培养基和/或再扩增培养基中，还加入有中CD28抗体，其浓度为2±0.2μg/mL。

8.根据权利要求1‑5任一所述的体外培养方法，其特征在于，在初始培养基和/或再扩增培养基中，还加入有IL‑2，其游离浓度为10±0.5ng/mL。

9.根据权利要求1‑5任一所述的体外培养方法，其特征在于，所述CD3抗体的包被浓度为20±0.2μg/mL。

10.权利要求1‑9任一所述体外培养方法得到的中枢记忆性T淋巴细胞。