[发明专利]一种掩模板制作的优化设计方法在审
申请号: | 201711471168.0 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN107885031A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 李春兰;李跃松;邓振玉 | 申请(专利权)人: | 深圳清溢光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩模板制作的优化设计方法,适用于掩模板曝光工序,曝光设备根据数据图形、光束数量及光束扫描宽度进行X/Y方向划分,计算出相应的曝光条数,获取相邻曝光条数重叠区域的位置以及重叠区域所对应的数据图形;根据重叠区域所对应的数据图形再次设计增加数据图案,以再次设计增加的数据图案消弱或反补重叠区域的二次曝光能量。本发明针对重叠区域的数据图形再次设计数据图案,该数据图案可以消弱或反补二次曝光对重叠区域的数据图形造成的能量损失,从而可以提高重叠区域线条精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 模板 制作 优化 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种掩模板制作的优化设计方法,适用于掩模板曝光工序,其特征在于,具体包括以下步骤:曝光设备根据数据图形、光束数量及光束扫描宽度进行X/Y方向划分,计算出相应的曝光条数,获取相邻曝光条数重叠区域的位置以及重叠区域所对应的数据图形;根据重叠区域所对应的数据图形再次设计增加数据图案,以再次设计增加的数据图案消弱或反补重叠区域的二次曝光能量。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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