[发明专利]光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法有效
| 申请号： | 201711481186.7 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108183070B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 庄宇鹏;刘伟;任思雨;谢志生;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，包括如下步骤：在基板上形成负性光刻胶层；采用掩膜板在第一预设光积量下对负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；采用掩膜板在第二预设光积量下对负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，第二次曝光位置与第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域；将第二次曝光后的负性光刻胶层进行烘烤操作；将烘烤操作后的负性光刻胶层进行显影操作，以使负性光刻胶层在基板上形成光刻胶倒梯形结构的隔离柱。上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法形成的隔离柱，倾斜坡度较大，从而能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 梯形 结构 隔离 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成负性光刻胶层；采用掩膜板在第一预设光积量下对所述负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；采用所述掩膜板在第二预设光积量下对所述负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域；所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使所述重合区域曝光后透射率为100％并发生交联反应的光积量；将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作；将烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，以使所述负性光刻胶层在所述基板上形成光刻胶倒梯形结构的隔离柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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