[发明专利]用于制备切割硅片的基础硅片及制备方法和用途在审
| 申请号： | 201711481367.X | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108582527A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘运宇;蒋方丹;王栩生;邢国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;H01L31/18;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制备切割硅片的基础硅片，所述基础硅片的表面为正方形或带倒角的正方形，所述基础硅片的自然裂解方向在基础硅片的表面的投影平行于所述基础硅片的一组相对边长，所述基础硅片为单晶硅片。本发明提供的制备切割硅片的基础硅片的自然裂解方向在基础硅片的表面的投影(110)平行于所述基础硅片的一组相对边长，在基础硅片制备切割硅片的时候，裂纹方向沿着平行于所述基础硅片边长的方向，能够减少破片率，且切片方向不变；减少了切割位置细小裂纹的产生，能够有效地降低组件的衰减，延长组件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 制备 切割 边长 平行 裂解 投影 单晶硅片 裂纹方向 切割位置 使用寿命 细小裂纹 延长组件 破片率 有效地 切片 倒角 衰减 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备切割硅片的基础硅片，其特征在于，所述基础硅片的表面为方形或带倒角的方形，所述基础硅片的自然裂解方向在基础硅片的表面的投影平行于所述基础硅片的一组相对边长；所述基础硅片为单晶硅片。
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