[发明专利]一种硅片的确定方法及装置有效
| 申请号： | 201711485367.7 | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108198907B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 吴华德;熊光涌 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片的确定方法及装置，该方法根据各个硅片的各个位置编码与硅片制备的电池片的光衰值、以及各个位置编码与硅片电阻率的对应关系，获得电阻率与光衰值的对应关系，并由电阻率与光衰值的对应关系，确定出硅片制备的电池片为光衰较低的电池片。从而能够降低硅片之间的差异，减少电池片的光衰波动，扩大工艺窗口，进而提高电池片的产能和良率，降低电池片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电池片 硅片 光衰 位置编码 电阻率 制备 硅片电阻率 工艺窗口 产能 良率 | ||
【主权项】：
1.一种硅片的确定方法，其特征在于，包括：/n获取各个硅片的各个位置编码与各个所述硅片制备的电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与各个所述硅片电阻率的对应关系；/n根据各个所述位置编码与所述光衰值、以及各个所述位置编码与所述电阻率的对应关系，获取所述电阻率与所述光衰值的对应关系；/n根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，确定所述硅片制备的电池片为低光衰电池片；其中，根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，确定所述硅片制备的电池片为低光衰电池片，包括：/n根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，获取所述光衰值小于光衰预设阈值时所述硅片的电阻率阈值范围；/n当所述硅片的电阻率在所述电阻率阈值范围内时，确定所述硅片制备的所述电池片为低光衰电池片。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711485367.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效MWT太阳能电池的制备方法
- 下一篇：一种框类零部件的内层上胶装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
