[发明专利]一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法

摘要

本发明属于半导体器件封装技术领域，涉及一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法，具体步骤为：装片‑键合‑塑封‑后固化‑去溢料‑电镀锡‑切筋‑测试‑包装出库；本发明通过采用多点点锡技术和多点装片拔高技术，提升了芯片与引线框架的欧姆接触，使芯片下面无空洞，保证了功率晶体管二次击穿耐量及极高的可靠性。

主权项

1.一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一. 装片：选取被封装芯片（3），将被封装芯片（3）装到引线框架（1）内；步骤二. 键合：采用全自动超声键合，通过键合引线将芯片电极与引线框架（1）的引线脚焊接；步骤三. 塑封：采用高导热性能环氧树脂塑封模具，将被封装芯片（3）上方包封起来，露出引线脚；步骤四. 后固化，将塑封后的芯片放入恒温烘箱内进行固化；步骤五. 去溢料；采用软化液进行飞边软化，然后在全自动高压水喷淋设备中去除溢料；步骤六. 电镀锡：在引线框架（1）表面电镀一层锡；步骤七. 切筋：采用两次分段式切筋，将若干个连在一起的引线框架（1）分隔开；步骤八. 测试后包装出库。