[发明专利]磁环境中的物理设计有效

专利信息
申请号: 201711499017.6 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108269799B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 阿龙·J·卡菲;布里安·G·德罗斯特 申请(专利权)人: 硅谷实验室公司
主分类号: H01L27/01 分类号: H01L27/01;H10N97/00;H01L23/552;H01L21/70
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴晓兵
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于形成包括电感器的集成电路的技术,该技术减小了电感器和周围的元件之间的磁耦合。该技术包括将电路元件(例如,端子、销、路由迹线)相对于与电感器相关的磁矢量电势、并且相对于与电感器相关的磁通量密度场而特意放置在集成电路上的位置中,以减小或者消除使得系统性能降级的感应信号。
搜索关键词: 环境 中的 物理 设计
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:电感器,具有通过所述电感器的中心的第一轴和通过所述电感器的中心的第二轴,所述第一轴为第一节点轴,所述第一轴包括第一磁节点的第一位置,所述第一磁节点具有在距离所述电感器的中心一定距离的第一可忽略的感应电压幅度;以及所述第二轴为第一反节点轴,所述第二轴包括第一可忽略的磁通量密度场的第二位置,和在距离所述电感器的中心一定距离的第一感应电压幅度,所述第一感应电压幅度大于所述第一可忽略的感应电压幅度;以及围绕所述第一轴聚集并且远离所述第二轴的第一簇集成电路端子。
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