[实用新型]N型双面电池结构有效
申请号: | 201720094304.8 | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN206789552U | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 李华;鲁伟明 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 王素琴 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种N型双面电池结构,包括基体,基体为N型,基体的正面为掺硼的发射极,发射极上沉积有第一减反钝化膜,第一减反钝化膜上有正面电极,正面电极穿透第一减反钝化膜与发射极形成欧姆接触;基体的背面生长一层薄膜,即隧穿氧化层,隧穿氧化层上设有掺杂多晶硅层,掺杂多晶硅层上沉积有第二减反钝化膜,第二减反钝化膜上设置有背面电极,背面电极穿透第二减反钝化膜与掺杂多晶硅层形成欧姆接触;该种N型双面电池结构,通过在表面设置隧穿氧化层,在基体和背表面场区域之间形成势垒,阻止了空穴向背场区域的流动,从而大大减少了背场区域和背面金属区域带来的复合。 | ||
搜索关键词: | 双面 电池 结构 | ||
【主权项】:
一种N型双面电池结构,其特征在于:包括基体,基体为N型,基体的正面为掺硼的发射极,发射极上沉积有第一减反钝化膜,第一减反钝化膜上有正面电极,正面电极穿透第一减反钝化膜与发射极形成欧姆接触;基体的背面生长一层薄膜,即隧穿氧化层,隧穿氧化层上设有掺杂多晶硅层,掺杂多晶硅层上沉积有第二减反钝化膜,第二减反钝化膜上设置有背面电极,背面电极穿透第二减反钝化膜与掺杂多晶硅层形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的