[实用新型]可消除火焰水解缺陷的沉积装置有效
申请号: | 201720144914.4 | 申请日: | 2017-02-17 |
公开(公告)号: | CN206570406U | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 金正焕 | 申请(专利权)人: | 金正焕 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;H01L21/67 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 亓赢 |
地址: | 韩国京畿道华城市乡南*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种在腔室内将化学反应气体水解产生二氧化硅粒子在晶圆片上沉积形成硅膜的可消除火焰水解缺陷的沉积装置,包括装配晶圆片使其旋转的转台,以隔板为准形成于隔板两旁的多个腔室,位于多个腔室内部中心上部并包括使含氧气和氢气的燃气反应产生火焰的喷炬,喷炬被装配在喷炬臂上,喷炬臂被电机驱动旋转,将通过燃气反应产生并未沉积在晶圆片上的硅粒子吸入排出的吸入排出装置,配备于腔室一侧,利用激光组测定晶圆片沉积厚度的激光测定装置部;本实用新型具备多个腔室,喷炬在持续火焰的状态下在各个腔室的转台之间相互交替作业,给位于转台上部的晶圆片连续涂覆,从而使生产工艺稳定化,并提升了产品的产量。 | ||
搜索关键词: | 消除 火焰 水解 缺陷 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种可消除火焰水解缺陷的沉积装置,其特征在于,作为在腔室内将化学反应气体水解发生二氧化硅粒子而在晶圆片上沉积硅膜的可消除火焰水解缺陷的沉积装置,包括:所述晶圆片和用于装配晶圆片使其旋转的转台、以隔板分隔形成于隔板两旁的两个以上腔室;位于所述两个以上腔室内部的中心上部并包括使含氧气和氢气的燃气反应产生火焰的喷炬、所述喷炬被装配在反应部的喷炬臂上以及驱动喷炬臂旋转的电机;将通过所述燃气反应产生并未沉积在晶圆片上的硅粒子吸入排出的吸入排出装置;配备于所述腔室的一侧,利用激光组测定晶圆片沉积厚度的激光测定装置部。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的