[实用新型]半导体制冷片有效

专利信息
申请号: 201720231208.3 申请日: 2017-03-10
公开(公告)号: CN206497902U 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 罗航宇 申请(专利权)人: 四川中光高技术研究所有限责任公司
主分类号: H01L35/32 分类号: H01L35/32;H01L35/10
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司11212 代理人: 杨立,张帆
地址: 610000 四川省成都市锦*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及一种半导体制冷片,包括两个层叠设置的金属基板以及设置于它们之间的多个呈柱状的半导体制冷晶粒,多个半导体制冷晶粒呈矩阵排列;金属基板靠近半导体制冷晶粒的侧面均固定设置有多个导流金属片,多个半导体制冷晶粒通过多个导流金属片串联电连接;半导体制冷晶粒的端部均通过焊接物料与对应的导流金属片焊接,导流金属片的侧面上与对应的半导体制冷晶粒焊接的区域设有向内凹陷的凹陷部;本实用新型产品生产制造简单便捷,半导体制冷晶粒元件与导流金属片之间的连接更加牢固,焊接效果更好,能有效避免出现漏焊、空焊及焊接面出现孔洞等现象,焊接后产品质量更好、制冷效率更高。
搜索关键词: 半导体 制冷
【主权项】:
一种半导体制冷片,其特征在于:包括两个层叠设置的金属基板(1)以及设置于两个所述金属基板(1)之间的多个半导体制冷晶粒(3),所述半导体制冷晶粒(3)均呈柱状,且多个所述半导体制冷晶粒(3)呈矩阵排列;所述金属基板(1)靠近所述半导体制冷晶粒(3)的侧面均固定设置有多个导流金属片(8),多个所述半导体制冷晶粒(3)通过多个所述导流金属片(8)串联电连接;所述半导体制冷晶粒(3)的端部均通过焊接物料与对应的所述导流金属片(8)焊接,所述导流金属片(8)的侧面上与对应的所述半导体制冷晶粒(3)焊接的区域设有向远离所述半导体制冷晶粒(3)方向凹陷的凹陷部(2);所述凹陷部(2)的凹陷深度小于所述导流金属片(8)的厚度,所述凹陷部(2)的最大横截面面积小于对应的所述半导体制冷晶粒(3)的横截面面积。
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