[实用新型]一种双向对称的TVS二极管有效
| 申请号： | 201720267536.9 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN206742245U | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 徐远 | 申请（专利权）人： | 苏州矽航半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 董建林,胡益萍 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种双向对称的TVS二极管，包括P+衬底；N‑外延层，形成于所述P+衬底上；P阱区，形成于所述N‑外延层中；P+注入区，形成于所述P阱区中；两个N+注入区，每个所述N+注入区均形成于所述P+注入区中；多个沟槽，每个所述沟槽均形成于所述N‑外延层中；氧化层，形成于所述N‑外延层上；金属层，形成于所述氧化层上。本实用新型结构简单，能够轻松实现TVS双向对称，避免被保护器件的损坏，成本低廉，采用沟槽进行隔离，减小芯片面积，便于封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 对称 tvs 二极管 | ||
【主权项】：
一种双向对称的TVS二极管，其特征在于，包括：P+衬底；N‑外延层，形成于所述P+衬底上；P阱区，形成于所述N‑外延层中；P+注入区，形成于所述P阱区中；两个N+注入区，每个所述N+注入区均形成于所述P+注入区中；多个沟槽，每个所述沟槽均形成于所述N‑外延层中并延伸至所述P+衬底中；氧化层，形成于所述N‑外延层上；金属层，形成于所述氧化层上。
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