[实用新型]半导体测试结构有效
| 申请号： | 201720301547.4 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN206574709U | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王敏;何明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体测试结构，包括若干个间隔排布的有源区；连接通孔，位于靠近各所述有源区两端的上方，且一端与所述有源区相连接；第一金属层，与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接；金属叠层结构，位于所述第一金属层上方，且与所述第一金属层相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层，其中，N≥3；所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块，所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同，且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。本实用新型的半导体测试结构可实现热点的精确定位，提高失效分析的成功率，缩短失效分析的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：若干个间隔排布的有源区；连接通孔，位于靠近各所述有源区两端的上方，且一端与所述有源区相连接；第一金属层，与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接；金属叠层结构，位于所述第一金属层上方，且与所述第一金属层相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层，其中，N≥3；所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块，所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同，且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。
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