[实用新型]一种NORFlash存储组以及NORFlash存储模块

摘要

本实用新型公开了一种NOR Flash存储组及NOR Flash存储模块，涉及闪存技术领域，其中，NOR Flash存储组包括衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上远离衬底一侧的至少两个存储单元；存储单元包括绝缘层；位于绝缘层上的位线、导电沟道和源线；位于绝缘层上且分别位于位线、导电沟道和源线两侧的隧道电介质层；位于绝缘层上且分别位于隧道电介质层远离位线、导电沟道和源线一侧的浮栅结构，浮栅结构的垂直投影位于绝缘层的垂直投影之内；位于绝缘层两侧且分别位于浮栅结构远离隧道电介质层一侧的阻断绝缘层以及分别位于阻断绝缘层远离浮栅结构一侧且包覆阻断绝缘层的控制栅结构。采用上述技术方案，NOR Flash存储组存储密度较高。

主权项

一种NOR Flash存储组，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上远离所述衬底一侧的至少两个存储单元，至少两个所述存储单元堆叠设置；其中，所述存储单元包括：绝缘层；位于所述绝缘层上的位线、导电沟道和源线，所述位线、导电沟道和源线依次堆栈设置于所述绝缘层上；位于所述绝缘层上且分别位于所述位线、导电沟道和源线两侧的隧道电介质层；位于所述绝缘层上且分别位于所述隧道电介质层远离所述位线、导电沟道和源线一侧的浮栅结构，所述浮栅结构的垂直投影位于所述绝缘层的垂直投影内；位于所述绝缘层两侧且分别位于所述浮栅结构远离所述隧道电介质层一侧的阻断绝缘层；分别位于所述阻断绝缘层远离所述浮栅结构一侧且包覆所述阻断绝缘层的控制栅结构。