[实用新型]台面PIN的侧面钝化结构

摘要

本实用新型提供了一种台面PIN的侧面钝化结构，包括半绝缘InP衬底以及在半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层，该半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层构成了阶梯层台面，该阶梯层台面的侧壁上生长有本征InP层，所述本征InP层上依次生长有SIO2层以及SINx层。本实用新型提供使用了和芯片材料相同的本征InP对台面侧面进行掩埋，在满足了芯片光电性能的同时克服了暗电流不可控、高温可靠性差等问题，给台面类型的高速接收芯片的制备工艺提供了一种新的方法。

主权项

一种台面PIN的侧面钝化结构，其特征在于：包括半绝缘InP衬底以及在半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层，该半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层构成了阶梯层台面，该阶梯层台面的侧壁上生长有本征InP层，所述本征InP层上依次生长有SIO2层以及SINx层。