[实用新型]承载盘及其与管路装置的组合有效
| 申请号： | 201720468912.0 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN206864442U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王万昌;林冠廷 | 申请（专利权）人： | 春田科技顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司11355 | 代理人： | 张雅军,谢琼慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种承载盘及其与管路装置的组合，该承载盘包括一顶面，及一相反于该顶面的底面。该承载盘界定有至少一贯穿于该顶面与该底面的第一安装孔、至少一贯穿于该顶面与该底面的第二安装孔、一由该底面朝该顶面方向凹陷的第一理线沟槽，及一由该底面朝该顶面方向凹陷的第二理线沟槽。该第一理线沟槽的一端及该第二理线沟槽的一端彼此相间隔，该第一理线沟槽的另一端及该第二理线沟槽的另一端分别邻近于该第一安装孔及该第二安装孔。借由第一理线沟槽及第二理线沟槽的设计，使得承载盘具有理线的功能，能提供气管方便且迅速地组装并定位于承载盘上。 | ||
| 搜索关键词： | 承载 及其 管路 装置 组合 | ||
【主权项】：
一种承载盘，其特征在于：该承载盘包括一顶面，及一底面，该底面相反于该顶面，该承载盘界定有至少一贯穿于该顶面与该底面的第一安装孔、至少一贯穿于该顶面与该底面的第二安装孔、一由该底面朝该顶面方向凹陷的第一理线沟槽，及一由该底面朝该顶面方向凹陷的第二理线沟槽，该第一理线沟槽的一端及该第二理线沟槽的一端彼此相间隔，该第一理线沟槽的另一端及该第二理线沟槽的另一端分别邻近于该第一安装孔及该第二安装孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
