[实用新型]一种浮栅存储器

摘要

本实用新型实施例提供了一种浮栅存储器，该浮栅存储器包括衬底；形成在所述衬底上的多个凹槽；形成所述凹槽内的隔离绝缘层，所述衬底的上表面高度高于所述隔离绝缘层的上表面，以形成衬底凸起；形成在所述衬底凸起上方的隧穿氧化层，所述隧穿氧化层延伸在所述隔离绝缘层上方；形成在所述隧穿氧化层上方的浮栅，所述浮栅覆盖所述隧穿氧化层；形成在所述浮栅上方的层间绝缘层，所述层间绝缘层延伸至所述隧穿氧化层上方；覆盖在所述层间绝缘层上方的控制栅。本实用新型实施例提供的一种浮栅存储器，将浮栅存储器的沟道图形制作成三维凸起结构，减小了浮栅存储器的尺寸的同时，没有减小沟道长度，巧妙地避免了短沟道效应。

主权项

一种浮栅存储器，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底上的多个凹槽；形成所述凹槽内的隔离绝缘层，所述衬底的上表面高度高于所述隔离绝缘层的上表面，以形成衬底凸起；形成在所述衬底凸起上方的隧穿氧化层，所述隧穿氧化层延伸在所述隔离绝缘层上方；形成在所述隧穿氧化层上方的浮栅，所述浮栅覆盖所述隧穿氧化层；形成在所述浮栅上方的层间绝缘层，所述层间绝缘层延伸至所述隧穿氧化层上方；覆盖在所述层间绝缘层上方的控制栅。