[实用新型]一种DFN3030‑8高密度框架有效

专利信息
申请号: 201720510244.3 申请日: 2017-05-10
公开(公告)号: CN206685374U 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;许兵;李宁;李超 申请(专利权)人: 成都先进功率半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 四川力久律师事务所51221 代理人: 王芸,熊晓果
地址: 611731 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及一种半导体制造技术,具体涉及一种DFN3030‑8高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与DFN3030‑8封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部为矩形,且所有芯片安装部的长边与框架的长边平行布置;在框架上与每个芯片安装部对应设有8个引脚槽,所述引脚槽4个为一组布置于芯片安装部的对称两侧、并延伸至芯片安装部边缘,相邻的芯片安装部对称设置,使相邻芯片安装部的引脚槽连通,连通的引脚槽底设有半腐蚀的槽内半腐蚀区。该框架将相邻芯片安装部的引脚槽连通,并设置半腐蚀区,减小切割阻力,并合理布置引脚槽位置,使该框架既实现高密度布置芯片、又具有良好的切割性能。
搜索关键词: 一种 dfn3030 高密度 框架
【主权项】:
一种DFN3030‑8高密度框架,其特征在于,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与DFN3030‑8封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部为矩形,且所有芯片安装部的长边与框架的长边平行布置;在框架上与每个芯片安装部对应设有8个引脚槽,所述引脚槽4个为一组布置于芯片安装部的对称两侧、并延伸至芯片安装部边缘,相邻的芯片安装部对称设置,使相邻芯片安装部的引脚槽连通,连通的引脚槽底设有半腐蚀的槽内半腐蚀区。
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