[实用新型]一种DFN2018‑6高密度框架有效
申请号: | 201720510285.2 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN206711890U | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;许兵;李宁;李超 | 申请(专利权)人: | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 四川力久律师事务所51221 | 代理人: | 王芸,熊晓果 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种DFN2018‑6高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上多个与DFN2018‑6封装结构相适应的芯片安装部,每个芯片安装部设有4个引脚槽,所有引脚槽均延伸至芯片安装部边缘,每个所述引脚槽靠近芯片安装位置的槽宽相对于另一侧更大,且靠近芯片安装位置的引脚槽周围设置成半腐蚀结构,使每个引脚槽能安装2根引脚。该框架将靠近芯片安装位置的引脚槽槽宽增大,使单个引脚槽可容纳2根引脚线的焊接,无需在芯片安装部周围设置6个引脚槽,减少引脚槽数量,进而可以在芯片安装部一个方向上布置完所有的引脚槽,使芯片安装部之间的距离缩小,增加芯片布置数量、提高材料利用率和节约成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 dfn2018 高密度 框架 | ||
【主权项】:
一种DFN2018‑6高密度框架,包括板状结构的矩形框架,其特征在于,在框架上多个与DFN2018‑6封装结构相适应的芯片安装部,每个芯片安装部设有4个引脚槽,所有引脚槽均延伸至芯片安装部边缘,每个所述引脚槽靠近芯片安装位置的槽宽相对于另一侧更大,且靠近芯片安装位置的引脚槽周围设置成半腐蚀结构,使每个引脚槽能安装2根引脚。
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