[实用新型]一种DFN2020‑6多芯片高密度框架有效
| 申请号： | 201720510342.7 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN206806316U | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;许兵;李宁;李超 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所51221 | 代理人： | 王芸,熊晓果 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体制造技术，具体涉及DFN2020‑6多芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上设多个与DFN2020‑6封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设有3个芯片安置区，3个芯片安置区的连线呈三角形，即3个芯片安置区分别位于三角形的三个角上；所述第一芯片安置区槽型边框周围的区域为半腐蚀结构。该框架在每个芯片安装部上设置3个芯片安置区，且分别分布于三角形的三个角上，利于节省布置空间，并将其中一个芯片安置区的槽型边框周围设置成半腐蚀结构，能利用该半腐蚀结构和芯片安置区放置2个小芯片，这样整个芯片安装部上可以4个芯片，提高芯片布置率，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dfn2020 芯片 高密度 框架 | ||
【主权项】：
一种DFN2020‑6多芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上设多个与DFN2020‑6封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设有3个芯片安置区，3个芯片安置区的连线呈三角形，即3个芯片安置区分别位于三角形的三个角上；3个芯片安置区中其中2个为安置大芯片的大芯片安置位，另一为第一芯片安置区，所述第一芯片安置区用于放置2个小芯片，所述第一芯片安置区槽型边框周围的区域为半腐蚀结构。
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