[实用新型]一种在读操作时纠正存储阵列错误的动态随机存取存储器有效
| 申请号： | 201720549120.6 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN207337927U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 郑建晖;钟守期 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种在读操作时纠正存储阵列错误的动态随机存取存储器，该动态随机存取存储器即DRAM含有存储阵列，该存储阵列包括数据阵列和ECC阵列，所述DRAM还包括一个寄存器，其中所述寄存器仅仅寄存有经该DRAM中的ECC解码和纠正模块纠正后的错误数据位以及其位置。本实用新型从源头上纠错，对现有电路的改动小，纠正存储阵列发生在读操作，不需要额外的命令控制，并且和存储器的规范兼容，控制灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 在读 操作 纠正 存储 阵列 错误 动态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种在读操作时纠正存储阵列错误的动态随机存取存储器，该动态随机存取存储器即DRAM含有存储阵列，该存储阵列包括数据阵列和ECC阵列，其特征在于，所述DRAM还包括一个寄存器，其中所述寄存器仅仅寄存有经该DRAM中的ECC解码和纠正模块纠正后的错误数据位以及其位置。
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