[实用新型]一种用于检测平面VDMOS栅击穿的测试结构

摘要

本实用新型公开了一种用于检测平面VDMOS栅击穿的测试结构，其特征在于所述结构中包含一个由多晶电容板、栅氧、外延层、阱区和源区组成电容板测试区，电容板上的开孔区嵌套于多晶电容板内部。其中阱区和源区围绕多晶电容板边缘进掺杂，且在多晶电容板的一侧将阱区和源区作为引出端连接至另一端。所述结构的多晶电容板周围包含了一个多晶保护环，其尺寸与实际VDMOS原胞尺寸保持一致。所述结构包含两个测试PAD，PAD1接衬底上阱区和源区的引出端，PAD2接多晶电容板。本实用新型通过多晶保护环和多晶电容板开孔嵌套的处理，可以完全真实模拟VDMOS实际多晶柵在整个加工过程完成后的真实结果，最大程度上实现对柵击穿的准确评估。

主权项

一种用于检测平面VDMOS栅击穿的测试结构，其特征在于，包括外延层(1)、阱区(2)、源区(3)、栅氧层(4)、介质层(6)、开孔区(9)、金属层(7)、多晶电容板(5)和多晶保护环(8)；所述阱区(2)覆盖在外延层(1)之上的部分表面；所述源区(3)覆盖在阱区(2)之上；所述栅氧层(4)包括中心区域和环状区域；所述栅氧层(4)的中心区域覆盖在外延层(1)之上的部分表面，还覆盖在阱区(2)和源区(3)之上的部分表面；所述栅氧层(4)的环状区域的一端覆盖在外延层(1)之上的部分表面，另一端覆盖在源区(3)之上的部分表面；所述多晶电容板(5)覆盖在栅氧层(4)的中心区域之上；所述多晶保护环(8)覆盖在栅氧层(4)的环状区域之上；所述介质层(6)位于栅氧层(4)的中心区域和环状区域之间；所述介质层(6)覆盖在外延层(1)之上的部分表面，所述介质层(6)还覆盖在源区(3)之上的部分表面；所述介质层(6)与栅氧层(4)、多晶电容板(5)和多晶保护环(8)相接触；所述金属层(7)覆盖在多晶电容板(5)之上的部分表面、介质层(6)之上的部分表面和源区(3)之上的部分表面；该测试结构包括两个PAD；其中，PAD1接衬底，PAD2接多晶电容板(5)；所述多晶电容板(5)、栅氧层(4)、外延层(1)、阱区(2)和源区(3)组成电容板测试区；电容板上的开孔区(9)嵌套于多晶电容板(5)内部，单边距离在2um以上，之后互联金属引出电极，形成PAD2；所述阱区(2)和源区(3)围绕多晶电容板(5)边缘进掺杂，且与实际VDMOS原胞的阱区(2)和源区(3)掺杂尺寸一致；在多晶电容板(5)的一侧将阱区(2)和源区(3)引出至另一端，并开孔和互联金属引出电极，形成PAD1；所述多晶电容板(5)周围有一圈多晶保护环(8)，多晶保护环(8)宽度和间距与实际VDMOS原胞尺寸保持一致。